Número do Produto do Fabricante:
TSM1NB60SCT B0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM1NB60SCT B0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Inventário:
12899688
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TSM1NB60SCT B0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
138 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Informação Adicional
Outros nomes
TSM1NB60SCT B0GDKR
TSM1NB60SCT B0GDKRINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0GTR-DG
TSM1NB60SCTB0GCTINACTIVE
TSM1NB60SCTB0G
TSM1NB60SCT B0GCT
TSM1NB60SCT B0GCTINACTIVE-DG
TSM1NB60SCT B0G-DG
TSM1NB60SCT B0GCT-DG
TSM1NB60SCT B0GDKR-DG
TSM1NB60SCTB0GDKRINACTIVE
TSM1NB60SCT B0GTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STQ1HNK60R-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7445
NÚMERO DA PEÇA
STQ1HNK60R-AP-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.20
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STQ2HNK60ZR-AP
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9835
NÚMERO DA PEÇA
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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